Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

STB18N60DM2

STB18N60DM2

僅供參考

型號 STB18N60DM2
PNEDA編號 STB18N60DM2
描述 MOSFET N-CH 600V 12A
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 23,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STB18N60DM2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STB18N60DM2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STB18N60DM2, STB18N60DM2數據表 (總頁數: 15, 大小: 421.1 KB)
PDFSTB18N60DM2數據表 封面
STB18N60DM2數據表 頁面 2 STB18N60DM2數據表 頁面 3 STB18N60DM2數據表 頁面 4 STB18N60DM2數據表 頁面 5 STB18N60DM2數據表 頁面 6 STB18N60DM2數據表 頁面 7 STB18N60DM2數據表 頁面 8 STB18N60DM2數據表 頁面 9 STB18N60DM2數據表 頁面 10 STB18N60DM2數據表 頁面 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • STB18N60DM2 Datasheet
  • where to find STB18N60DM2
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STB18N60DM2
  • STB18N60DM2 PDF Datasheet
  • STB18N60DM2 Stock

  • STB18N60DM2 Pinout
  • Datasheet STB18N60DM2
  • STB18N60DM2 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STB18N60DM2 Price
  • STB18N60DM2 Distributor

STB18N60DM2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

您可能感興趣的產品

ZVN2120ASTOA

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

E-Line (TO-92 compatible)

包裝/箱

E-Line-3

IRFR24N15DTRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.6V @ 264µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7800pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO263-3

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF7451TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFZ46ZLPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

82W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-262

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

最近成交

SMCJ5.0CA

SMCJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

SI2300DS-T1-GE3

SI2300DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23

MAX9814ETD+T

MAX9814ETD+T

Maxim Integrated

IC AMP AUDIO MONO AB MIC 14TDFN

KSZ8081RNBCA-TR

KSZ8081RNBCA-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 32QFN

ISL21010CFH325Z-TK

ISL21010CFH325Z-TK

Renesas Electronics America Inc.

IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3

VLP8040T-6R8M

VLP8040T-6R8M

TDK

FIXED IND 6.8UH 3.6A 32 MOHM SMD

595D336X0035R2T

595D336X0035R2T

Vishay Sprague

CAP TANT 33UF 20% 35V 2824

PEX8796-AB80BI G

PEX8796-AB80BI G

Broadcom

PCI INT IC MULT-RT GEN 3 SW

4N32SM

4N32SM

ON Semiconductor

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

DS2438Z+

DS2438Z+

Maxim Integrated

IC MONITOR SMART BATTERY 8-SOIC

PIC16F1705-I/P

PIC16F1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

HCPL-060L-000E

HCPL-060L-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO