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SST25VF016B-75-4I-QAF-T

SST25VF016B-75-4I-QAF-T

僅供參考

型號 SST25VF016B-75-4I-QAF-T
PNEDA編號 SST25VF016B-75-4I-QAF-T
描述 IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 19 - 六月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SST25VF016B-75-4I-QAF-T資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SST25VF016B-75-4I-QAF-T
類別半導體內存IC內存
數據表
SST25VF016B-75-4I-QAF-T, SST25VF016B-75-4I-QAF-T數據表 (總頁數: 32, 大小: 308.98 KB)
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SST25VF016B-75-4I-QAF-T規格

制造商Microchip Technology
系列SST25
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率80MHz
寫周期-字,頁10µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (5x6)

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Toshiba Memory America, Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

67-VFBGA

供應商設備包裝

67-VFBGA (6.5x8)

EDF8164A3PD-GD-F-D

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

8Gb (128M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

152-VBGA

供應商設備包裝

152-VBGA (14x18)

CYDD18S36V18-167BBXI

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

18Mb (256K x 36 x 2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

256-LBGA

供應商設備包裝

256-FBGA (17x17)

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