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SSM6J503NU,LF

SSM6J503NU,LF

僅供參考

型號 SSM6J503NU,LF
PNEDA編號 SSM6J503NU-LF
描述 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6J503NU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6J503NU,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM6J503NU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.8nC @ 10V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-UDFNB (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3072pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2115pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

215W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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