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SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

僅供參考

型號 SQJQ910EL-T1_GE3
PNEDA編號 SQJQ910EL-T1_GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SQJQ910EL-T1_GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SQJQ910EL-T1_GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SQJQ910EL-T1_GE3, SQJQ910EL-T1_GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 246.72 KB)
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SQJQ910EL-T1_GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs58nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2832pF @ 50V
功率-最大187W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 8 x 8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 8 x 8 Dual

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 10V

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21.3pF @ 10V

功率-最大

265mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 20V

功率-最大

17.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V, 2555pF @ 15V

功率-最大

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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