SQJ200EP-T1_GE3
僅供參考
| 型號 | SQJ200EP-T1_GE3 |
| PNEDA編號 | SQJ200EP-T1_GE3 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,310 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸) |
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SQJ200EP-T1_GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SQJ200EP-T1_GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SQJ200EP-T1_GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 20V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 20A, 60A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8.8mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 975pF @ 10V |
| 功率-最大 | 27W, 48W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 供應商設備包裝 | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
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