SQ4532AEY-T1_GE3
僅供參考
| 型號 | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| PNEDA編號 | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,628 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 六月 2 - 六月 7 (選擇加急運輸) |
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SQ4532AEY-T1_GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SQ4532AEY-T1_GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET類型 | N and P-Channel |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V |
| 功率-最大 | 3.3W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供應商設備包裝 | 8-SOIC |
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