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SPA15N60C3XKSA1

SPA15N60C3XKSA1

僅供參考

型號 SPA15N60C3XKSA1
PNEDA編號 SPA15N60C3XKSA1
描述 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SPA15N60C3XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SPA15N60C3XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SPA15N60C3XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 675µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs63nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1660pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)34W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 102A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 1V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.622nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

59.76pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

270mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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