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SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

僅供參考

型號 SP8M4FU6TB
PNEDA編號 SP8M4FU6TB
描述 MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8M4FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8M4FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SP8M4FU6TB, SP8M4FU6TB數據表 (總頁數: 6, 大小: 105.12 KB)
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SP8M4FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 10V

功率-最大

140mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A, 156A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7940pF @ 20V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V, 1120pF @ 30V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

560nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28000pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

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