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SP8K2FU6TB

SP8K2FU6TB

僅供參考

型號 SP8K2FU6TB
PNEDA編號 SP8K2FU6TB
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SP8K2FU6TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SP8K2FU6TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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PDFSP8K2FU6TB數據表 封面
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SP8K2FU6TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.1nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

功率-最大

12W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1390pF @ 10V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.8mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1330pF @ 30V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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