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SMBT3904SE6327HTSA1

SMBT3904SE6327HTSA1

僅供參考

型號 SMBT3904SE6327HTSA1
PNEDA編號 SMBT3904SE6327HTSA1
描述 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SMBT3904SE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SMBT3904SE6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SMBT3904SE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大330mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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