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SIZF906ADT-T1-GE3

SIZF906ADT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZF906ADT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZF906ADT-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CHAN 30V
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZF906ADT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZF906ADT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZF906ADT-T1-GE3, SIZF906ADT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 245.71 KB)
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SIZF906ADT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V, 200nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
功率-最大4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-PowerPair® (6x5)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

865pF @ 15V

功率-最大

2W

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1415pF @ 15V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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SI5906DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 15V

功率-最大

10.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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