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SIZ702DT-T1-GE3

SIZ702DT-T1-GE3

僅供參考

型號 SIZ702DT-T1-GE3
PNEDA編號 SIZ702DT-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIZ702DT-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIZ702DT-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SIZ702DT-T1-GE3, SIZ702DT-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 202.17 KB)
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SIZ702DT-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 15V
功率-最大27W, 30W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-PowerPair™
供應商設備包裝6-PowerPair™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 15V

功率-最大

700mW, 1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate, 4.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 15V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA, 460mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

功率-最大

700mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

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