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SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

僅供參考

型號 SIR880ADP-T1-GE3
PNEDA編號 SIR880ADP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIR880ADP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIR880ADP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SIR880ADP-T1-GE3, SIR880ADP-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 341.87 KB)
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SIR880ADP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs72nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2289pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)5.4W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8
包裝/箱PowerPAK® SO-8

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2085pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

196pF @ 400V

FET功能

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功耗(最大值)

22W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

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