SIHB6N65E-GE3
僅供參考
| 型號 | SIHB6N65E-GE3 |
| PNEDA編號 | SIHB6N65E-GE3 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 17,952 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SIHB6N65E-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | SIHB6N65E-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- SIHB6N65E-GE3 Datasheet
- where to find SIHB6N65E-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SIHB6N65E-GE3
- SIHB6N65E-GE3 PDF Datasheet
- SIHB6N65E-GE3 Stock
- SIHB6N65E-GE3 Pinout
- Datasheet SIHB6N65E-GE3
- SIHB6N65E-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SIHB6N65E-GE3 Price
- SIHB6N65E-GE3 Distributor
SIHB6N65E-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 650V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 7A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 48nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 820pF @ 100V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 78W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | D²PAK (TO-263) |
| 包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
您可能感興趣的產品
|
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 500mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 170nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4500pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-204AE 包裝/箱 TO-204AE |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 170mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.5nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 78pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 360mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 Microsemi Corporation 系列 Military, MIL-PRF-19500/542 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.22Ohm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 39nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） 4W (Ta), 75W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-204AA (TO-3) 包裝/箱 TO-204AA, TO-3 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 122mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 14.9nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 870.7pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 940mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerDI3333-8 包裝/箱 8-PowerVDFN |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 107nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4730pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |
