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SIGC109T120R3LEX1SA2

SIGC109T120R3LEX1SA2

僅供參考

型號 SIGC109T120R3LEX1SA2
PNEDA編號 SIGC109T120R3LEX1SA2
描述 IGBT 1200V 100A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 30 - 六月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIGC109T120R3LEX1SA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIGC109T120R3LEX1SA2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SIGC109T120R3LEX1SA2規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.3V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

450µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/93ns

測試條件

960V, 5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

365V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 4V, 20A

功率-最大

165W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

340A

電流-集電極脈沖(Icm)

840A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 120A

功率-最大

1200W

開關能量

5.75mJ (on), 2.67mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

250nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/270ns

測試條件

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

105ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 30A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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200A

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580A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 75A

功率-最大

1040W

開關能量

-

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門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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