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SIA922EDJ-T1-GE3

SIA922EDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA922EDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA922EDJ-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 48,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA922EDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA922EDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA922EDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

功率-最大

250W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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