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SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

僅供參考

型號 SIA533EDJ-T1-GE3
PNEDA編號 SIA533EDJ-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 380,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SIA533EDJ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SIA533EDJ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SIA533EDJ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 6V
功率-最大7.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SC-70-6 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SC-70-6 Dual

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20A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1233pF @ 15V

功率-最大

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7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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