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SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI9936BDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI9936BDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9936BDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9936BDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI9936BDY-T1-GE3, SI9936BDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 107.11 KB)
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SI9936BDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 13V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

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