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SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI9933BDY-T1-E3
PNEDA編號 SI9933BDY-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI9933BDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI9933BDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI9933BDY-T1-E3, SI9933BDY-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 97.34 KB)
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SI9933BDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

42pF @ 10V

功率-最大

285mW (Ta)

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Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

390mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.5µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.62nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 15V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

857pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

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