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SI8235BD-C-ISR

SI8235BD-C-ISR

僅供參考

型號 SI8235BD-C-ISR
PNEDA編號 SI8235BD-C-ISR
描述 DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
制造商 Silicon Labs
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI8235BD-C-ISR資源

品牌 Silicon Labs
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI8235BD-C-ISR
類別半導體隔離器隔離器-柵極驅動器
數據表
SI8235BD-C-ISR, SI8235BD-C-ISR數據表 (總頁數: 56, 大小: 630.44 KB)
PDFSI8237AB-B-IS1R數據表 封面
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SI8235BD-C-ISR規格

制造商Silicon Labs
系列Automotive, AEC-Q100
技術Capacitive Coupling
頻道數2
電壓-隔離5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值)20kV/µs
傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)60ns, 60ns
脈沖寬度失真(最大值)5.6ns
上升/下降時間(典型值)12ns, 12ns (Max)
電流-輸出高,低2A, 4A
電流-峰值輸出4A
電壓-正向(Vf)(典型值)-
電流-直流正向(If)(最大值)-
電壓-輸出電源9.4V ~ 24V
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC
批準CQC, CSA, UR, VDE

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5000Vrms

共模瞬變抗擾度(最小值)

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

200ns, 200ns

脈沖寬度失真(最大值)

65ns

上升/下降時間(典型值)

75ns, 55ns

電流-輸出高,低

2A, 2A

電流-峰值輸出

2.5A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.43V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

電壓-輸出電源

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工作溫度

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包裝/箱

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批準

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電壓-隔離

5000Vrms

共模瞬變抗擾度(最小值)

35kV/µs

傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

40ns, 40ns

脈沖寬度失真(最大值)

5.6ns

上升/下降時間(典型值)

12ns, 12ns (Max)

電流-輸出高,低

2A, 4A

電流-峰值輸出

4A

電壓-正向(Vf)(典型值)

-

電流-直流正向(If)(最大值)

-

電壓-輸出電源

6.5V ~ 24V

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

批準

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250ns, 250ns

脈沖寬度失真(最大值)

100ns

上升/下降時間(典型值)

50ns, 50ns

電流-輸出高,低

2.5A, 2.5A

電流-峰值輸出

3A

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.45V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

電壓-輸出電源

3V ~ 15V

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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傳播延遲tpLH/tpHL(最大值)

40ns, 48ns

脈沖寬度失真(最大值)

30ns

上升/下降時間(典型值)

17ns, 17ns

電流-輸出高,低

3A, 3A

電流-峰值輸出

2A

電壓-正向(Vf)(典型值)

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

8-DIP

批準

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