SI7964DP-T1-GE3
僅供參考
| 型號 | SI7964DP-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | SI7964DP-T1-GE3 | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 373 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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SI7964DP-T1-GE3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | SI7964DP-T1-GE3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SI7964DP-T1-GE3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 6.1A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 23mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4.5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 65nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 功率-最大 | 1.4W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 供應商設備包裝 | PowerPAK® SO-8 Dual |
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