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SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7270DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7270DP-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7270DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7270DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7270DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 15V
功率-最大17.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 22µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3050pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.73nC @ 4.5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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