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SI7216DN-T1-GE3

SI7216DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7216DN-T1-GE3
PNEDA編號 SI7216DN-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7216DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7216DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7216DN-T1-GE3, SI7216DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 567.88 KB)
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SI7216DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds670pF @ 20V
功率-最大20.8W
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8 Dual

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4.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

856pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 32V

功率-最大

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12A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 12A, 10V, 22.5mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF, 750pF @ 10V

功率-最大

1.1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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