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SI6963BDQ-T1-GE3

SI6963BDQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6963BDQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6963BDQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,870
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6963BDQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6963BDQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI6963BDQ-T1-GE3, SI6963BDQ-T1-GE3數據表 (總頁數: 6, 大小: 103.17 KB)
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SI6963BDQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

功率-最大

34W (Tc)

工作溫度

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Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

56pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

542mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

62pF @ 4V

功率-最大

357mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1295pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

111mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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