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SI5904DC-T1-E3

SI5904DC-T1-E3

僅供參考

型號 SI5904DC-T1-E3
PNEDA編號 SI5904DC-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI5904DC-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI5904DC-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI5904DC-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝1206-8 ChipFET™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2260pF @ 25V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 20A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

功率-最大

2.2W (Tc)

工作溫度

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