SI5509DC-T1-E3
僅供參考
| 型號 | SI5509DC-T1-E3 |
| PNEDA編號 | SI5509DC-T1-E3 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,472 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸) |
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SI5509DC-T1-E3資源
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | SI5509DC-T1-E3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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SI5509DC-T1-E3規格
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET類型 | N and P-Channel |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 20V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 6.1A, 4.8A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 52mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 455pF @ 10V |
| 功率-最大 | 4.5W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供應商設備包裝 | 1206-8 ChipFET™ |
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