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SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4948BEY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4948BEY-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 20,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4948BEY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4948BEY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4948BEY-T1-GE3, SI4948BEY-T1-GE3數據表 (總頁數: 8, 大小: 162.25 KB)
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SI4948BEY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Vishay Siliconix

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

功率-最大

2.6W (Ta), 23W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.1A, 13.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 15V

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