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SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4936ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4936ADY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4936ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4936ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4936ADY-T1-GE3, SI4936ADY-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 174.44 KB)
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SI4936ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1287pF @ 25V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 6V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vgs(th)(最大)@ ID

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