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SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4933DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4933DY-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4933DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4933DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI4933DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.07nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

161pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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