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SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4834CDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4834CDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4834CDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4834CDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4834CDY-T1-GE3, SI4834CDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 208.43 KB)
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SI4834CDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds950pF @ 15V
功率-最大2.9W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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6.2A (Ta), 15.2A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

450A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 450A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 132mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1330nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

38000pF @ 800V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 5V

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