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SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4804CDY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4804CDY-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 22,944
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4804CDY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4804CDY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4804CDY-T1-GE3, SI4804CDY-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 89.34 KB)
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SI4804CDY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds865pF @ 15V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.56nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

798pF @ 10V

功率-最大

1.17W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 20V

功率-最大

3.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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1.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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