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SI4774DY-T1-GE3

SI4774DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4774DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4774DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4774DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4774DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4774DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列SkyFET®, TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1025pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Body)
功耗(最大值)5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 3.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

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