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SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4559ADY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4559ADY-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 623,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4559ADY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4559ADY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4559ADY-T1-GE3, SI4559ADY-T1-GE3數據表 (總頁數: 14, 大小: 204.01 KB)
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SI4559ADY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A, 3.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds665pF @ 15V
功率-最大3.1W, 3.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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8A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta), 2.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

功率-最大

800mW (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

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