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SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

僅供參考

型號 SI4436DY-T1-GE3
PNEDA編號 SI4436DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 19,386
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4436DY-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4436DY-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI4436DY-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.95mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4515pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.3W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

154nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

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