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SI4388DY-T1-E3

SI4388DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4388DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4388DY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4388DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4388DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4388DY-T1-E3, SI4388DY-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 138.32 KB)
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SI4388DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.7A, 11.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds946pF @ 15V
功率-最大3.3W, 3.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 6V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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