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SI3993DV-T1-E3

SI3993DV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3993DV-T1-E3
PNEDA編號 SI3993DV-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
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庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3993DV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3993DV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI3993DV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs133mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

216mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

95pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Advanced Linear Devices Inc.

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.26V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Renesas Electronics America

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 10V

功率-最大

2.3W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

258pF @ 15V

功率-最大

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