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SI3981DV-T1-E3

SI3981DV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3981DV-T1-E3
PNEDA編號 SI3981DV-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3981DV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3981DV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI3981DV-T1-E3, SI3981DV-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 89.85 KB)
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SI3981DV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs185mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大800mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

29600pF @ 25V

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