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SI3948DV-T1-E3

SI3948DV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3948DV-T1-E3
PNEDA編號 SI3948DV-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3948DV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3948DV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI3948DV-T1-E3, SI3948DV-T1-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 90.56 KB)
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SI3948DV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.15W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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Vishay Siliconix

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

3.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate, 2.5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 14A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 30V

功率-最大

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1425pF @ 15V

功率-最大

2.6W (Ta), 23W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

功率-最大

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