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SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3911DV-T1-E3
PNEDA編號 SI3911DV-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3911DV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3911DV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI3911DV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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Microsemi Corporation

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

功率-最大

780W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

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