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SI3850ADV-T1-GE3

SI3850ADV-T1-GE3

僅供參考

型號 SI3850ADV-T1-GE3
PNEDA編號 SI3850ADV-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3850ADV-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3850ADV-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI3850ADV-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel, Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A, 960mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.08W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1082pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1860pF @ 15V

功率-最大

2.8W

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Renesas Electronics America

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FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate, 5V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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