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SI3850ADV-T1-E3

SI3850ADV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3850ADV-T1-E3
PNEDA編號 SI3850ADV-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3850ADV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3850ADV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI3850ADV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel, Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A, 960mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.08W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

245mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 125mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

125mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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