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SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3

僅供參考

型號 SI3447CDV-T1-E3
PNEDA編號 SI3447CDV-T1-E3
描述 MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI3447CDV-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI3447CDV-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI3447CDV-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 8V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds910pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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