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SI1902DL-T1-GE3

SI1902DL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1902DL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1902DL-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 111,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1902DL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1902DL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1902DL-T1-GE3, SI1902DL-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 236.4 KB)
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SI1902DL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)660mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

121nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6100pF @ 25V

功率-最大

69W, 96W

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

3W

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

185mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.392nC @ 4.5V

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