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SI1036X-T1-GE3

SI1036X-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1036X-T1-GE3
PNEDA編號 SI1036X-T1-GE3
描述 MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1036X-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1036X-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1036X-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)610mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs540mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds36pF @ 15V
功率-最大220mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta), 4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V

功率-最大

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制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 9.4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 10V

功率-最大

27W, 48W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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