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SI1023X-T1-GE3

SI1023X-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1023X-T1-GE3
PNEDA編號 SI1023X-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 24,108
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1023X-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1023X-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1023X-T1-GE3, SI1023X-T1-GE3數據表 (總頁數: 7, 大小: 140.72 KB)
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SI1023X-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)370mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SC-89-6

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

861pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 15V

功率-最大

1.15W

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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