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SH8M5TB1

SH8M5TB1

僅供參考

型號 SH8M5TB1
PNEDA編號 SH8M5TB1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8M5TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8M5TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SH8M5TB1, SH8M5TB1數據表 (總頁數: 6, 大小: 181.39 KB)
PDFSH8M5TB1數據表 封面
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SH8M5TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

246nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11200pF @ 25V

功率-最大

694W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Surface Mount

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