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SGTB11N60R2DT4G

SGTB11N60R2DT4G

僅供參考

型號 SGTB11N60R2DT4G
PNEDA編號 SGTB11N60R2DT4G
描述 RC2 IGBT 10A 600V DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGTB11N60R2DT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGTB11N60R2DT4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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SGTB11N60R2DT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 7A

功率-最大

70W

開關能量

95µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32.7nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/50ns

測試條件

480V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

75µJ (on), 225µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/83ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

383µJ (on), 233µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

163nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/189ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

TO-3P

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

360V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

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8A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 2A

功率-最大

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門禁費用

7.8nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/300ns

測試條件

800V, 2A, 150Ohm, 15V

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