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SGR2N60UFDTF

SGR2N60UFDTF

僅供參考

型號 SGR2N60UFDTF
PNEDA編號 SGR2N60UFDTF
描述 IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SGR2N60UFDTF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SGR2N60UFDTF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
SGR2N60UFDTF, SGR2N60UFDTF數據表 (總頁數: 7, 大小: 498.15 KB)
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SGR2N60UFDTF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)2.4A
電流-集電極脈沖(Icm)10A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 1.2A
功率-最大25W
開關能量30µJ (on), 13µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用9nC
25°C時的Td(開/關)15ns/80ns
測試條件300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 25A

功率-最大

190W

開關能量

4.2mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/560ns

測試條件

600V, 25A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

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安裝類型

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 30A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

60µJ (on), 80µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

26nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/110ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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