SG2013J-883B
僅供參考
| 型號 | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | SG2013J-883B | ||||||||||||||||||
| 描述 | TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 28,074 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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SG2013J-883B資源
| 品牌 | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | SG2013J-883B |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-陣列 |
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SG2013J-883B規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | 7 NPN Darlington |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 600mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | - |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 900 @ 500mA, 2V |
| 功率-最大 | - |
| 頻率-過渡 | - |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | - |
| 供應商設備包裝 | 16-CDIP |
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