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SG2003J-883B

SG2003J-883B

僅供參考

型號 SG2003J-883B
PNEDA編號 SG2003J-883B
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SG2003J-883B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SG2003J-883B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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SG2003J-883B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型7 NPN Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 500µA, 350mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 350mA, 2V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-CDIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-CDIP

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

370mW

頻率-過渡

100MHz, 80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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